C# 中的性能提升 - Span<T> 和 Memory<T>
简单来说,Span<T>
和 Memory<T>
能够以安全的方式使用指针访问内存,它们提供了一种类型安全的方法来访问任意内存的连续区域。
他们表示连续的内存块,没有任何复制语义,类似于指针。
另外还有只读版本 ReadOnlySpan<T>
和 ReadOnlyMemory<T>
类型
C#
允许以不安全的方式使用指针,类似 C/C++
。虽然效率高,但指针不被 GC
跟踪,容易造成内存泄漏
为此在 C# 7
中引入了新的类型
Span<T>
以类型安全的方式表示内存的连续部分Memory<T>
连续的内存区域ReadOnlySpan<T>
与Span<T>
类似,但内存区域是只读的ReadOnlyMemory<T>
与ReadOnlyMemory<T>
类似,但内存连续区域是只读的
C# 7
对应的 .net
版本是 .NET Core 2.1
。在后续更新中逐渐增强完善
截至目前 C#
版本是 C# 12
,因此本文内容也是以 C# 12
为基础
Span<T> 的原理
Span<T>
是值类型的 ref struct
,定义类似于
1 | public readonly ref struct Span<T> |
ref struct
ref struct
和 struct
相比有一些使用限制
- 不能是数组的元素类型
- 不能是类或非
ref struct
的字段的声明类型 - 不能实现接口
- 不能被装箱为
System.ValueType
或System.Object
- 不能是类型参数
- 变量不能由
Lambda
表达式或本地函数捕获 - 变量不能在
async
方法中使用。 但是,可以在同步方法中使用ref struct
变量,例如,在返回Task
或Task<TResult>
的方法中。 - 变量不能在迭代器中使用
索引器
Span<T>
的索引器是使用 ref T
声明的,因此索引器返回的是实际存储位置的引用
1 | public ref T this[int index] |
Memory<T>
Memory<T>
表示内存中一段连续的区域,对应的只读版本为 ReadOnlyMemory<T>
。
Memory<T>
很多用法与 Span<T>
相似
Memory<T>
实现原理类似如下
1 | public readonly struct Memory<T> |
与 Span<T> 的区别
Memory<T>
的很多操作与 Span<T>
类似,可以通过数组创建 Memory<T>
并进行切片。
Memory<T>
不是 ref struct
类型,因此 Memory<T>
可以在存储在堆,所以有不同于 Span<T>
的特性
- 可以作为类的字段或属性
- 可以在异步函数中使用
Memory<T>
有个 Span
属性,可以获取 Span<T>
并处理
为什么需要 Memory<T>
有了 Span<T>
为什么还要 Memory<T>
?
由于 Span<T>
无论何种情况,只能存在于栈中,因此 Span<T>
的使用限制比较多。
尤其是 Span<T>
无法在异步函数中使用,因此限制较少的 Memory<T>
更适用于这种场景。
1 | static async Task<int> ChecksumReadAsync(Memory<byte> buffer, Stream stream) |
stackalloc 表达式
stackalloc
能在堆栈上分配内存块,分配的内存块不会被 GC
自动回收,生命周期仅限当前方法内
默认变量类型为指针,是不安全代码。但是可以将变量赋值给 Span<T>
或 ReadOnlySpan<T>
即为安全代码
1 | unsafe |
1 | Span<int> nums = stackalloc int[10]; // safe |
可以和定义数组一样赋初值
1 | Span<int> first = stackalloc int[3] { 1, 2, 3 }; |
Span<T> 在字符串中的实践
Span<T>
的应用场景很广,这里只举例字符串,感受一下 Span<T>
的强大
Span<T>
对字符串的切片效率很高,在内存中不需要创建临时的字符串
比如对用户输入的表达式进行计算,这里仅简单的处理加法如 11+22
常规简单做法
使用 string.SubString
,会在内存中生成临时字符串
如果在循环中执行次数很多,就会在堆中生成很多临时字符串
1 | var text = "11+22"; |
使用 Span<T> / ReadOnlySpan<T>
不会产生临时字符串,而且切片效率会高很多,没有给 GC 增加压力
1 | var text = "11+22"; |
List<T> 自增的影响
List<T>
自增会造成 Span<T>
引用的位置错误,因此是这里是一个坑
先创建容量为 10 的 List<int>
,并赋初值,使用 CollectionsMarshal
创建一个 Span<int>
,指向 List<int>
内存块
1 | var list = new List<int>(10); |
代码到这里,span 就是 list 中元素的所在的内存段,对 span[i]
的读写都和 list[i]
的读写都是操作同一段内存数据,一切正常
现在我们给 list 增加一个元素,list 长度超过容量 10,因此容量会自增到 20
1 | list.Add(10); |
此时,span 指向的仍然是原来的 list 内存段,但现在 list 已经通过自增变为了另一个新的内存段
那么现在 span
和 list
两个变量就不相干了,给 span[i]
和 list[i]
赋值都互不影响,span
就失去了作用和意义
从逻辑上说,这也算是一种内存泄漏,只是这段内存没有用,即使内存泄漏也没有影响,这段内存会随着 span 变量的回收而回收
1 | span[0] = 100; |
或
1 | list[1] = 100; |